RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM

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Beschreibung

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM.Art: DDR4Geschwindigkeit: 2666 MHzAnschluss: 260-pin SoDIMMLatenzzeit: CL19RAM Speicher: 8 GB RAMInterner Speicher: 8 GBKapazität: 8 GBKompatibel: NotebookFormat: 1 x 8 GB

Zusätzliche Information

Marke/Hersteller